DDR4
DDR4(双倍数据速率第四代)内存是 DDR2 和 DDR3 技术的后继产品,其速度更快,并且最高支持 512 GB 容量,而 DDR3 的最大内存仅 128 GB/DIMM。DDR4 同步动态随机存取内存的键位与 SDRAM 和 DDR 不同,以避免用户在系统中安装错误的内存类型。
DDR4 所需电压低 20%,仅为 1.2 V,而 DDR3 需要 1.5 V 的电源才能运行。DDR4 还支持新的深度断电模式,允许主机设备进入待机模式,而不需要刷新其内存。深度断电模式预计可将待机功耗减少 40% 至 50%。
DDR4 详细信息
DDR3 和 DDR4 内存模块之间有细微差异,如下所示。
键位槽口差异
DDR4 模块上的键位槽口与 DDR3 模块上键位槽口的位置有所不同。它们的槽口都位于插入边缘,但 DDR4 上的槽口位置稍有不同,以避免将模块安装到不兼容的板或平台。
![图:槽口差异](https://dl.dell.com/topics/opti5070_sff_sm/images/GUID-AEE88CDF-139D-4DF3-93A6-84A7AF25206D-low.jpg)
增加了厚度
DDR4 模块会略厚于 DDR3,以容纳更多信号层。
![图:厚度差异](https://dl.dell.com/topics/opti5070_sff_sm/images/GUID-53A4F35B-9F61-4E33-83DA-137E0CE3809D-low.jpg)
弧形边缘
DDR4 模块具有弧形边缘,有助于插入并缓解内存安装期间对 PCB 的挤压。
![图:弧形边缘](https://dl.dell.com/topics/opti5070_sff_sm/images/GUID-0EE07971-856F-4350-9524-EEAFF37C07B8-low.jpg)